RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
52
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.6
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
32
Velocità di lettura, GB/s
9.7
22.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
3837
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Lenovo 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link