RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
78
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
78
Velocità di lettura, GB/s
12.8
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1526
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link