RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2967
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Segnala un bug
×
Bug description
Source link