RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
37
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2813
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link