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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
38
Velocità di lettura, GB/s
12.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2107
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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