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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2954
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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