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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3911
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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