RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
72
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
72
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1817
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link