RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
68
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
2,013.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
6400
Intorno 1.66% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR2
Latenza in PassMark, ns
26
68
Velocità di lettura, GB/s
12.8
4,402.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
2,013.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
6400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
701
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link