RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
25
Velocità di lettura, GB/s
12.8
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2003
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link