RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
13.3
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3488
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link