RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Confronto
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
13.3
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2213
3271
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link