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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Confronto
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
49
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
23
Velocità di lettura, GB/s
10.9
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2427
3025
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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