Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    54 left arrow 61
    Intorno -13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.4 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.2 left arrow 6.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 21300
    Intorno 1.1 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    61 left arrow 54
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.2 left arrow 10.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.4 left arrow 8.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1813 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti