RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
71
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
71
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
1757
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link