RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
49
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
30
Velocità di lettura, GB/s
10.2
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
3568
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link