RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
49
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
41
Velocità di lettura, GB/s
10.2
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2621
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link