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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
52
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
25
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2871
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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