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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
62
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
62
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
1586
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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