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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
33
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
20
Velocità di lettura, GB/s
8.0
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3429
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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