RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
8.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
2672
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KB5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link