RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.6
8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.2
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
8.0
21.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
18.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1911
3890
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link