RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
54
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
27
Velocità di lettura, GB/s
9.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3388
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link