RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
54
Intorno -184% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.1
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
19
Velocità di lettura, GB/s
9.2
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
17.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3821
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link