RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
54
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
24
Velocità di lettura, GB/s
9.2
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
1983
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link