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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
54
Intorno -145% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
22
Velocità di lettura, GB/s
9.2
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3075
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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