RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
63
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
49
Velocità di lettura, GB/s
8.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2673
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link