RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
63
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.7
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
49
Velocità di lettura, GB/s
8.1
10.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2504
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link