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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
63
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
38
Velocità di lettura, GB/s
8.1
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2283
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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