RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
63
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
38
Velocità di lettura, GB/s
8.1
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1945
2073
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link