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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
49
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
39
Velocità di lettura, GB/s
10.0
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2513
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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