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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
11.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2186
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
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