RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
62
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
62
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1586
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link