RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
42
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
23
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2790
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link