RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3601
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link