RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
104
Intorno -189% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
36
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2971
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link