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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
80
104
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,404.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
80
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
1775
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
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