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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
74
76
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
2,201.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
76
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
1624
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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