RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
74
Intorno -139% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
31
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3217
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link