RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,201.1
13.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
74
Intorno -222% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
23
Velocità di lettura, GB/s
4,178.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,201.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
508
3233
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link