RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
73
Intorno -248% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
21
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3255
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link