RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
73
Intorno -217% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
23
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2960
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link