RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
73
Intorno -170% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
27
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
2373
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link