RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
69
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
34
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3142
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link