RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
69
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
29
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
3632
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link