RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
68
Intorno -172% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
25
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
3917
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link