RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
68
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
32
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
2618
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link