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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Confronto
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
5.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
25
Velocità di lettura, GB/s
11.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1774
2583
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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