RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
60
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
11.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
56
Velocità di lettura, GB/s
15.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2359
2597
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link