RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
46
Intorno -70% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
27
Velocità di lettura, GB/s
16.0
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.4
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2660
2148
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link